CDD – Ingénieur R&D en intégration de dispositifs RF et caractérisation électrique H/F Temps plein

Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l’économie et de l’Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s’engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l’Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d’un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l’international.Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité

Référence 2025-36160Description de l’unitéLe Leti, institut de recherche technologique de la DRT du CEA, a pour mission d’innover et de transférer les innovations à l’industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d’intégration système, et d’architecture de circuits intégrés, à la base de l’internet des objets, de l’intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée.Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l’innovation technologique.L’institut est localisé à Grenoble avec deux bureaux aux USA et au Japon, et compte 1800 chercheurs.Description du posteDomaineTechnologies micro et nanoContratCDDIntitulé de l’offreCDD – Ingénieur R&D en intégration de dispositifs RF et caractérisation électrique H/FStatut du posteCadreDurée du contrat (en mois)36Description de l’offreContexteL’arrivée de la 5G, et la transition prochaine vers la 6G, introduisent de nouveaux défis en matière de performance et de fiabilité des transistors RF. En fonction des applications RF visées, nos partenaires industriels explorent différentes options technologiques pour répondre à ces exigences de plus en plus pointues, incluant diverses plateformes CMOS (telles que le RFSOI ou le FinFET), ainsi que des technologies BiCMOS. Il est donc essentiel d’évaluer les atouts et les limites de chaque approche afin de déterminer celle qui est la mieux adaptée à une application donnée. Cela nécessite une compréhension approfondie du comportement électrique et de la fiabilité des transistors utilisés dans les amplificateurs de puissance (PA) et les amplificateurs à faible bruit (LNA) en conditions de fonctionnement RF.Description du posteVotre travail portera principalement sur la caractérisation RF de transistors MOSFET destinés aux amplificateurs de puissance pour les applications Wi-Fi et 5G/6G. Vous devrez également développer et mettre en œuvre de nouvelles méthodologies de test et d’instrumentation, notamment en ce qui concerne le vieillissement des transistors. Les mesures seront majoritairement réalisées sur tranche (wafer), sous pointes RF.Avec le soutien d’un ingénieur en caractérisation RF, vous aurez pour missions :

• La mise en œuvre de la modélisation petit signal des transistors MOSFET à partir de mesures de paramètres S
• La caractérisation du vieillissement des transistors MOSFET en conditions de fonctionnement DC et RF
• La réalisation d’analyses physiques permettant d’expliquer les phénomènes de dégradation observés en lien avec les procédés technologiques utilisés
• La modélisation du vieillissement des transistors et son impact sur les paramètres électriques DC et RF (petit signal)
• Le développement de nouvelles méthodologies de caractérisation RF, incluant des signaux carrés AC, pertinents pour les applications numériques
• Le reporting régulier auprès des équipes projet afin d’interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d’amélioration des composants
• L’évolution des bancs de test et le développement de logiciels de pilotage des instruments de mesure associés (type Agilent et Keysight)

Le projet sera mené en étroite collaboration avec des partenaires industriels.Profil du candidatFormation

• Ingénieur (Bac+5) avec une forte expérience en caractérisation électrique de transistors RF, ou docteur (Bac+8) en radiofréquences.
• Une bonne connaissance de la physique des semi-conducteurs est indispensable, ainsi qu’une maîtrise des outils de programmation et de traitement des données (Python/Mathcad).

Compétences techniques

• Physique des semi-conducteurs

• Fonctionnement et modélisation des transistors MOSFET en régimes DC et RF
• Problématiques de fiabilité des transistors MOSFET
• Caractérisation radiofréquence : mesures de paramètres S, techniques de dé-embedding, mesures en grand signal
• Connaissances des composants actifs et passifs RF
• Instrumentation pour la mesure de composants semi-conducteurs
• Pilotage d’instruments de mesure (Python)
• Maîtrise de l’anglais (écrit et oral) pour les rapports et présentations

Savoir être

• Autonomie
• Rigueur
• Force de proposition
• Ouverture d’esprit

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :

• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Une politique diversité et inclusion,
• Des restaurants d’entreprise,
• Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
• Une épargne abondée par le CEA.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l’intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d’organisation pour l’inclusion des travailleurs handicapés.Localisation du posteSiteGrenobleLocalisation du posteFrance, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)VilleGrenobleCritères candidatLanguesAnglais (Courant)Formation recommandéeIngénieur (Bac+5) ou docteur (Bac+8) Physique des composants RFDemandeurDisponibilité du poste19/05/2025

Commissariat à l’Énergie Atomique